高压IGBT和二极管SOA性能的突破——SSCM

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【摘要】

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介绍了一种新型高压IGBT和二极管设计平台,它展现出目前安全工作区域SOA(Safe Operation Area,简称SOA)所能达到的最高极限.首次展示了一种额定电压3.3～6.5kV、能够同时承受动

【机构】

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瑞士ABB半导体公司,瑞士,伦兹堡,CH-5600

【出处】

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电力电子技术

【发表日期】

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2008年11期

【关键词】

：

二极管损耗/开关自箝位

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介绍了一种新型高压IGBT和二极管设计平台,它展现出目前安全工作区域SOA(Safe Operation Area,简称SOA)所能达到的最高极限.首次展示了一种额定电压3.3～6.5kV、能够同时承受动态雪崩和开关自箝位模式(SwitchSelf Clamp Mode,简称SSCM)、低损耗的IGBT和二极管芯片组.这项成果将促成高压器件SOA能力的全新突破.

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