【摘 要】
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用气相输送外延技术可以相对容易地在氟化钡衬底上取向生长碲锡铅块状单晶。用这种方法已生长了不同Pb、Sn和Te组分的漏斗形和园柱形晶体。生长速率已达到2克/天。晶体具有良
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用气相输送外延技术可以相对容易地在氟化钡衬底上取向生长碲锡铅块状单晶。用这种方法已生长了不同Pb、Sn和Te组分的漏斗形和园柱形晶体。生长速率已达到2克/天。晶体具有良好的冶金和x射线衍射特性。
The vapor phase epitaxy technique makes it easier to grow oriented tellurium-tin-lead bulk single crystals on barium fluoride substrates. Funnel and cylindrical crystals of different Pb, Sn and Te compositions have been grown by this method. Growth rate has reached 2 g / day. Crystals have good metallurgy and x-ray diffraction properties.
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