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测量AlGaAs/GaAs多量子阱在不同真空度中的表面光伏谱,研究半导体量子阱表面态的真空敏感机理.半导体量子阱表面光伏与真空度有关,主要是由于表面吸附的氧原子的作用.
AlGaAs/GaAs多量子阱表面光伏的真空特性
【摘 要】
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测量AlGaAs/GaAs多量子阱在不同真空度中的表面光伏谱,研究半导体量子阱表面态的真空敏感机理.半导体量子阱表面光伏与真空度有关,主要是由于表面吸附的氧原子的作用.
【机 构】
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集美大学计算科学与应用物理系(福建厦门)
【出 处】
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第十二届华东六省一市物理学联合年会
【发表日期】
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2003年11期
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