单片集成电路

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00565 A Balanced 2 Watt Compact PHEMT Power Amplifier MMIC for Ka-Band Applications/S. Chen, E. Reese and K. S. Kong (TriQuint Semiconductor,USA)//2003 IEEE MTT—s Digest. —847 用TriQuint半导体厂的3次金属互连(3MI)0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μm GaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm~2(2.8×2.2mm),32 GHz下1dB压缩点(P_(1dB))输出功率达 00565 A Balanced 2 Watt Compact PHEMT Power Amplifier MMIC for Ka-Band Applications / S. Chen, E. Reese and KS Kong (TriQuint Semiconductor, USA) // 2003 IEEE MTT-s Digest. Metal Interconnect (3MI) 0.25μm Gate-Length PHEMT Process A Ka-band balanced small power amplifier MMIC was designed and developed. The 100μm GaAs substrate balanced three-stage power amplifier has a chip size of 6.16mm ~ 2 (2.8 × 2.2mm) and a 1dB compression point (P_ (1dB) at 32 GHz) output power of
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