【摘 要】
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随着硅集成电路工艺的发展以及对器件可靠性和稳定性的要求越来越高,器件表面的保护需要采取更加有效的措施。尽管硅的热氧化膜——二氧化硅对器件制作起一定的作用。但它对
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随着硅集成电路工艺的发展以及对器件可靠性和稳定性的要求越来越高,器件表面的保护需要采取更加有效的措施。尽管硅的热氧化膜——二氧化硅对器件制作起一定的作用。但它对水汽和其它气体有很高的渗透率,对碱金属离子(Na~+)阻挡能力极差,影响了器件的稳定性。氮化硅具有高的化学稳定性、高电阻和耐高温等特点,尤其对杂
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