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用非特意掺杂的高阻GaN薄膜研制了MSM结构紫外探测器.研究发现在5 V偏压,365 nm光激发条件下,光电流衰减出现振荡现象;响应时间为毫秒量级.未经退火处理,MSM结构的暗态伏安特性呈线性关系,器件的暗电阻出现低阻现象.
高阻GaN基MSM结构紫外探测器的光电流特性
【摘 要】
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用非特意掺杂的高阻GaN薄膜研制了MSM结构紫外探测器.研究发现在5 V偏压,365 nm光激发条件下,光电流衰减出现振荡现象;响应时间为毫秒量级.未经退火处理,MSM结构的暗态伏安特
【机 构】
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西安理工大学,西安交通大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2003年5期
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