大气环境中Al5052光谱发射率研究

• 作 者: 张凯华 于坤 刘玉芳 王文宝
• 机 构: 河南师范大学物理与电子工程学院,兴义民族师范学院物理系
• 出 处: 河南师范大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2014年1期
• 关键词: Al5052 光谱发射率 温度 加热时间 A15052 spectral emissivity temperature heating time
• 基金项目: 国家自然科学基金（61127012,61307122）,贵州省科学技术基金黔科合J字[2012]2325,黔西南州科技局科技计划2013-4

基于基尔霍夫定律，利用砷化镓（GaAs）半导体激光器作为标准光源设计了一种反射式光谱发射率测量装置．使用该装置在300K至873K之间对Al5052的光谱发射率进行了系统的研究，并利用最小二乘法对测量数据进行了线性拟合．研究结果表明：Al5052的光谱发射率随着温度的升高而缓慢增大．通过对673K，773K，823K，873K4个温度点持续5h的恒温测量发现：当温度小于823K时，Al5052的光谱发射率非常稳定，随着时间的增加基本保持不变；当温度大于823K时，在开始的2h内，光谱发射率随着时间的增加而