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采用平面波赝势法对CuGaTe2进行了系统的研究．对基态的晶格常数，原子内部坐标做了优化，其结果和实验测量值符合得较好．电子结构的研究表明，CuGaTe2属于窄禁带直接带隙半导体．根据状态方程计算了材料的线性光学性质，对它的光学特性进行了分析并进行了解释，为CuGaTe2应用提供了理论依据．
CuGaTe2电子结构和光学特性的第一性原理研究
【摘 要】
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采用平面波赝势法对CuGaTe2进行了系统的研究．对基态的晶格常数，原子内部坐标做了优化，其结果和实验测量值符合得较好．电子结构的研究表明，CuGaTe2属于窄禁带直接带隙半导体．根据状
【机 构】
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山西大学理论物理研究所
【出 处】
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山西大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2009年A02期
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