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高频低噪声放大器（LNA）是无线通讯设备关键器件之一。由于无线通讯设备特别是移动通讯设备使用环境的条件限制，往往需要LNA器件具有自适应增益功能，以保证接收信号的稳定性。拟设计一款具有自适应增益控制的高频LNA单片集成电路,以TSMC 0.18 μm的RF-CMOS器件模型和工艺参数，给出一个增益范围在0-17 dB、噪声抑制比为0.2 dB,适用于DCS1800手机中的1.8 GHz增益自适应CMOS放大器电路。