肖特基设计可提高集成度

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贝尔公司的肖特基结构——具有三个扇出的肖特基I~2L单元的图形表明三个肖特基箝位二极管正好放在同时包含收集极和基极区域的p阱里。肖特基二极管似乎是会使原来基本上很整齐的I~2L结构变坏,并使它失去低成本、高密度的优点。事实上,三个收集极输出区域也就包括了肖特基结,且所有的都落在正常的注入极条的中心线上。这样一来,该单元提供了极好的集成密度。 Bell's Schottky Structure - A pattern with three fan-out Schottky I ~ 2L cells shows that three Schottky clamp diodes are placed in the p-well that contains both the collector and base regions. Schottky diodes seem to make the original structure is basically very neat I ~ 2L deterioration, and make it lose the advantages of low cost, high density. In fact, the three collector output areas also include the Schottky junction, and all fall on the centerline of the normal implant pole. As a result, the unit provides excellent integration density.
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