In_(0.53)Ga_(0.47)As的液相外延生长

• 作 者: 王树堂 潘荣浚 曾靖
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 液相外延生长 As Ga In 外延层 载流子密度 电子迁移率 晶格匹配 半导体材料 载流子浓度

用液相外延的方法在(100)取向的InP衬底上生长了晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)s.采用普通的原材料,经过适当的处理工艺,已经获得室温载流子密度为(5-10)×10~(15)cm~(-3),电子迁移率高达9450cm~2/V·s的In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层.

Lattice-matched In 0.53 Ga 0.47 s was grown on the (100) -oriented InP substrate by liquid-phase epitaxy.Using common materials and proper processing, the carrier density (0.53) Ga_ (0.47) As epilayer with (5-10) × 10 ~ (15) cm ~ (-3) electron mobility as high as 9450cm ~ 2 / V · s.