论文部分内容阅读
应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极（GCE）研究了多巴胺（DA）和抗坏血酸（AA）在此修饰电极上的电化学性质。DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0．676V和0．360V，两者相差316mV。此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值（136mV）。据此，可用锑膜修饰的GCE，用示差脉冲伏安法同时测定DA和AA。测定DA和AA的线性范围分别为6．80×10^-7～1．33×10^-2～2．60×10^-6～1．20×10^-3mol·L^-1，方