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用金属有机物化学气相淀积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）制备了TiN薄膜，通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了TiN薄膜的电学性质．结果表明，多次循环会引入界面而增大电阻率，与薄膜成分和微结构分析的结果一致．得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低．通过相同循环、不同厚度样品在真实器件中电学性能的比较，发现介窗（Via）直径越小，TiN薄膜对介窗电阻的影响越大．