【摘 要】
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据《Semiconductor FPD World》2006年第10期报道,NEC成功开发了采用氮化物宽禁带材料晶体管制作的大功率放大器,应用于第三代手机(W-CD-MA)的基站。该器件的输出功率高达400
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据《Semiconductor FPD World》2006年第10期报道,NEC成功开发了采用氮化物宽禁带材料晶体管制作的大功率放大器,应用于第三代手机(W-CD-MA)的基站。该器件的输出功率高达400W。该项目是由日本新功能器件研发协会下达的课题,课题名称为“氮化物半导体的低功耗高频器件的开发”
According to “Semiconductor FPD World” 2006 the 10th period reported, NEC has successfully developed a large power amplifier made of nitride wide bandgap material transistor, applied to the third generation mobile phone (W-CD-MA) base station. The device’s output power up to 400W. This project is issued by the Japan Association of New Functional Devices R & D, the subject of the title of “nitride semiconductors, low-power high-frequency device development”
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