（001）高度择优取向Ba_（0.6）Sr_（0.4）TiO_3/Pt异质结的结构及性能

• 作 者: 郭哲 刘保亭 王军 李曼 张金平 娄建忠
• 机 构: 河北大学物理科学与技术学院,河北大学电子信息工程学院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2010年6期
• 关键词: BST薄膜 脉冲激光沉积 导电机制 BST thin films PLD conduction mechanism
• 基金项目: 国家自然科学基金（No.60876055 11074063）资助项目, 河北省自然科学基金（E2008000620）资助项目, 河北省应用基础研究计划重点基础研究项目（10963525D）, 高等学校博士点基金（No.20091301110002）, 河北省教育厅科学研究计划（No.2007416）, 河北省科学技术厅科学技术研究与发展指导计划（No.07215154）, 河北大学博士基金（y20

采用射频磁控溅射法结合高真空后退火处理,在MgO（001）单晶基片上制备了Pt薄膜。应用脉冲激光沉积法在Pt/MgO上进一步生长了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜。借助X射线衍射仪（XRD）、铁电测试仪、LCR表研究了BST/Pt/MgO的结构和性能。研究发现,700℃真空退火可以保证Pt薄膜在MgO基片上实现（001）高度择优生长,以（001）Pt薄膜为模板,可以进一步获得（001）高度择优取向具有铁电性能BST薄膜。在100 Hz测试频率下,BST薄膜最大介电常数为1100、调谐率为81%、