【摘 要】
：
日本某公司研制成一种高速的IMS1400-35型16×1比特N-MOS静态RAM,制造中采用了该公司最新的N沟道MOS技术和电路设计,取数时间达到了35毫微秒,比得上ECL(发射极耦合逻辑)存储
论文部分内容阅读
日本某公司研制成一种高速的IMS1400-35型16×1比特N-MOS静态RAM,制造中采用了该公司最新的N沟道MOS技术和电路设计,取数时间达到了35毫微秒,比得上ECL(发射极耦合逻辑)存储器的速度.最大功耗为660毫瓦(运行时)和110毫瓦
A Japanese company developed a high-speed IMS1400-35 16 × 1 bit N-MOS static RAM, using the company’s latest N-channel MOS technology and circuit design, taking the number of time to 35 nanoseconds, than the Get ECL (Emitter Coupled Logic) memory at maximum power consumption of 660 milliwatts (runtime) and 110 milliwatts
其他文献
目的：检测下咽鳞癌中粘附分子ＣＤ４４Ｈ，ＣＤ４４Ｖ６ 的表达情况，并分析ＣＤ４４Ｈ，ＣＤ４４Ｖ６ 的表达与下咽鳞癌临床分级、病理分级、颈淋巴结转移及预后的关系。方法：应用免疫组化ＳＡＢＣ 法。结果：ＣＤ４４Ｈ，ＣＤ４４Ｖ６ 的表达与下咽癌的病理分级呈负
个人简介 崔尚金,男,1971年生于山东,汉族,中共党员博士后,副研究员,现在为中国农科院哈尔滨兽医研究所流行病学负责人,硕士研究生导师,国家自然基金委同行评议专家,中国畜牧
Electronic Arrays(以Technology Resources 为其代表)的32K 位存储器是动态固定存储器EA3200型,如今这种存储器已经定型,而且在美国已经小批量的生产。General Instrument
赖斯留给人们的印象是强硬干练,特别是取代鲍威尔出任国务卿,并传言甚至出任国防部长后,她更成了不食人间烟火的“女强人”。其实,50岁的赖斯非常喜欢孩子,也很想组织一个家
应用低温镀铁工艺,能多快好省地修复被损坏零件,而绝缘处理是这项工艺中的一项重要环节。待修零件有需镀(已损坏处)和不镀两个部分。所谓绝缘处理,是指将零件不镀部位和挂具
IBM公司最近宣布六个新机型:3083-EX、BX、JX,3081-GX、KX以及3084-QX,直接取代3083-E、B、J,3081-G、K和3084-Q。新机型在内部性能上相对后者提高5％～14％,而价格相同。3081-KX的
为加强监督，有效杜绝和减少渔政管理中的违法行政现象，自今年4月份起，骆马湖渔政站实行挂牌上岗，规定渔政检查员在执行公务时，除应穿著制服，出示检查证件外，还必须佩带上岗证。上岗
利用三维k-ε双模型方程对一种高速泵的内部流动规律进行了研究,计算了从进口到出口的整个流场,得到了其内部流动的主要特征,为了解高速泵内部流动规律提供了重要的理论依据
一、概况: 这里介绍的是一台1970年开始研制的MOS和双极性混合使用的高速缓冲存贮器,其读写同期T≤250ns,容量为512,字长48位,存贮单元用Mos集成电路,而读写驱动等外围电路