【摘 要】
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日本佳能公司研制半导体制作0.15μm特征尺寸工艺用的KrF准分子激光步进器FPA—3000 EXC,曝光面积为对角线22
Japan’s Canon company developed a semiconductor manufact
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日本佳能公司研制半导体制作0.15μm特征尺寸工艺用的KrF准分子激光步进器FPA—3000 EXC,曝光面积为对角线22
Japan’s Canon company developed a semiconductor manufacturing 0.15μm feature size process KrF excimer laser stepper FPA-3000 EXC, exposure area diagonal 22
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