【摘 要】
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日本电气公司,研制了比以往器件灵敏度提高2倍,使用电压为l/3的信号放大型半导体光敏器件。新型器件是将铟、铝、砷和铟、铝、砷的超薄膜相互重叠11层的超光栅。在实验中,即
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日本电气公司,研制了比以往器件灵敏度提高2倍,使用电压为l/3的信号放大型半导体光敏器件。新型器件是将铟、铝、砷和铟、铝、砷的超薄膜相互重叠11层的超光栅。在实验中,即使比过去快100倍的下一代光通信的
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