【摘 要】
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外延生长时的气流状态对硅外延生长有重要的影响。本文根据对气流状态的分析和实验,提出加放气流板和HCl逆腐蚀两种方法,用以改善外延层厚度均匀性,收到了明显的效果。
The
【机 构】
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西北电讯工程学院微电子研究所,西北电讯工程学院微电子研究所,西北电讯工程学院微电子研究所,西北电讯工程学院微电子研究所,
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外延生长时的气流状态对硅外延生长有重要的影响。本文根据对气流状态的分析和实验,提出加放气流板和HCl逆腐蚀两种方法,用以改善外延层厚度均匀性,收到了明显的效果。
The state of the air flow during epitaxial growth has an important effect on the epitaxial growth of silicon. In this paper, based on the analysis and experiments on the gas flow conditions, we propose two methods, that is, addition of a gas flow plate and HCl reverse corrosion, to improve the thickness uniformity of the epitaxial layer and to receive obvious effects.
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