四元Heusler合金CoFeTiSb的空位和反位缺陷效应

• 作 者: 周庭艳 黄海深 吴波 杨秀德 李平 冯雨
• 机 构: 遵义师范学院物理与机电工程学院,西北工业大学航海学院,西南大学物理科学与技术学院
• 出 处: 材料导报
• 发表日期: 2016年16期
• 关键词: HEUSLER合金 空位缺陷 反位缺陷 Heusler alloy vacancy defects antisite defects
• 基金项目: 国家自然科学基金（11304410）, 贵州省科技厅项目（黔科合J字[2014]2170号）, 贵州省重点学科-物理学（黔学位办[2013]18号）, 贵州省联合基金项目（黔科合LH字[2015]7025号）

采用密度泛函理论研究了空位和反位缺陷效应对四元Heusler合金CoFeTiSb电子结构的影响。结果表明,Vd（Co）、Vd（Fe）空位缺陷和Ti（Sb）反位缺陷具有负的形成能,能保持85%以上的自旋极化率,在CoFeTiSb合金工业制备过程中自发形成几率较大;Vd（Ti）、Vd（Sb）空位缺陷和Fe（Co）反位缺陷虽然费米面处自旋极化率为100%,仍保持半金属性,但正的形成能表明在制备过程中它们出现的几率较小。此外,Sb（Co）、Sb（Fe）、Sb（Ti）、Co（Ti）、Fe（Ti）反位缺陷由于具有较大