面向GPON的硅基锗探测器应用研究

• 作 者: 程鲁腾 杨楠 杨华山 刘光祖 陈相宁 张洪国 江伟
• 机 构: 南京大学现代工程与应用科学学院,南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京大学电子科学与工程学院,南京微结构国家实验室（筹）
• 出 处: 南京大学学报(自然科学)
• 发表日期: 2016年6期
• 关键词: 硅基光电子学 硅基锗探测器 GPON 2.5Gbps

锗硅探测器由于其在近红外波段有高响应度、高带宽,且与CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺兼容等优良的光电特性,已经成为近几年的研究热点之一.为了研究硅基锗APD的商用通信测试指标,结合GPON（Gigabit-capable Passive Optical Networks）接入网的技术指标要求,实验研究了硅基锗探测器的光电变换特性.采用BERT搭建了可靠的硅基锗探测器测试系统,并对探测器进行了性能测试.该设计方案可靠性高,测试数据对实际应用有一定