【摘 要】
：
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的.
【机 构】
：
北京大学,人工微结构和介观物理国家重点实验室
【基金项目】
：
中国科学院资助项目，国家科技攻关项目
论文部分内容阅读
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的.观察ELO-GaN 扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群.X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜.拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高.ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高.
其他文献
2005年4月29日《发光学报》编委会召开了在长春的部分编委会议。中科院长春光机与物理所信息中心主任于晓光、副主任白雨虹应邀出席了会议。
ZnS系列电致发光已经在低亮度照明、液晶显示、汽车和航空仪表等领域得到广泛的应用.Mn、Cu是ZnS电致发光材料常用的激活剂,Mn2+在晶体中形成橙色发光中心,发光中心波长580 n
掺钕激光玻璃广泛应用于核聚变、高功率激光放大器和光纤激光器等领域.磷酸盐玻璃热膨胀系数高、热稳定性和化学稳定性差、热机械强度低.通过改变玻璃组分,即添加Al2O3和F2,
提出了用一种无机半导体的模型来计算有机电致发光器件(OELDs)的J-V特性.通过在金属/有机物界面插入薄LiF层,由此引入的偶极子能极大地降低了电子的注入势垒和OELDs的开启电
采用Pekar类型的变分方法研究了抛物量子点中强耦合磁极化子的基态和激发态的性质.计算了基态和激发态磁极化子的束缚能以及磁极化子的共振频率.讨论了这些量对回旋频率和有
利用有机相-水相界面共沉淀溶胶支持自组装方法制备了颗粒大小约为10～15 nm稀土嵌入纳米介孔分子筛Sm-MGM(1:10).其BET比表面积、孔容和孔径分别为621 m2·g-1,1.25 cm3&#
以PCl3为脱水剂,将邻氨基硫酚与水杨酸脱水环化合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑,并进一步将所得产物与乙酸锌反应合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)2)材料.以该配合
基于有机材料的电致发光技术可以应用于超薄平面显示和有机固体激光器等方面,在近20年来取得了飞速的发展,基本实现了红、绿、蓝三基色发光.绿色材料发展最快,基本达到了商业
非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义.随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载