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期刊论文
功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
来源 :原子能科学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq243129435
【摘 要】
:
建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的器件模
【作 者】
:
唐本奇
王燕萍
【机 构】
:
西北核技术研究所
【出 处】
:
原子能科学技术
【发表日期】
:
2000年2期
【关键词】
:
功率MOS器件
单粒子栅穿
PSPICE电路模拟
power MOSFET
single event gate rupture
PSPICE circuit
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建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
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