Ti3SiC2掺杂MgB2块体的超导性研究

• 作 者: 单迪 闫果 周廉 李成山 王庆阳 张胜楠 熊晓梅 刘国庆
• 机 构: 西北工业大学 凝固技术国家重点实验室,陕西 西安 710072西北有色金属研究院,陕西 西安 710016;西北有色金属研究院,陕西 西安,710016
• 出 处: 稀有金属材料与工程
• 发表日期: 2012年7期
• 关键词: MgB2块体 Ti3SiC2掺杂 超导性

研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响.随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生.随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K.利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值.结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值.然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高.