多孔金字塔型黑硅电极的制备及其光电性能研究

• 作 者: 胡南江 吕向菲 赵冉 马宏瑞 汤伟 马春林
• 机 构: 陕西科技大学轻工与能源学院,陕西科技大学资源与环境学院,陕西科技大学电气与信息工程学院,淮阴师范学院物理与电子电气工程学院
• 出 处: 陕西科技大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2013年5期
• 关键词: 多孔金字塔 黑硅 光电性能 porous pyramid black silicon photoelectrochemical property

介绍了一种不需要抗反射层的多孔黑硅的制备方法．通过两步法在n-硅上合成得到具有梯度折射的多孔金字塔型表面，该表面能有效降低硅片对太阳光的反射，对可见光区太阳光的反射率可降至2．24％，因此，有利于光电转换效率的提高．I-V曲线测试表明：多孔金字塔型硅电极的最大电流密度可达0．969mA／cm2，光电转换效率为22．3％．