【摘 要】
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由于典型I~2L的速度不能满足高速电路的要求,我们于1975年7～8月份开始研究高速I~2L电路,9月提出将低发射极浓度器件用于I~2L电路的方案,10月提出采用两次薄外延实现低发射极
【机 构】
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中国科学院计算所十一室高速I~2L专题组
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由于典型I~2L的速度不能满足高速电路的要求,我们于1975年7～8月份开始研究高速I~2L电路,9月提出将低发射极浓度器件用于I~2L电路的方案,10月提出采用两次薄外延实现低发射极浓度器件的工艺,12月又提出采用浓硼扩散作I~2L的注入器。这就奠定了“p~+-n-p~+”型高速注入逻辑的基本结构。随后进行了单元门以及微处理机全
Since the typical I ~ 2L speed can not meet the requirements of high-speed circuits, we started in July 7 ~ August 1975 high-speed I ~ 2L circuit, September proposed a low emitter concentration device for I ~ 2L circuit program, October It is proposed to use two thin epitaxy to realize the device with low emitter concentration. In December, the injector with concentrated boron diffusion for I ~ 2L is also proposed. This laid the “p ~ + -n-p ~ +” type high-speed injection logic basic structure. Followed by the unit door and the microprocessor
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