分子束外延生长的GaAS—AlxGa1—xAs多层异质结结构...

• 作 者: 范荣团 C.J.Humphreys
• 机 构: 中国科学院电子学研究所,牛津大学,利物浦大学
• 出 处: 电子科学学刊
• 发表日期: 1990年1期
• 关键词: GAAS-ALGAAS 异质结构 调制条文 GaAs/Al_xGa_(1-x)As Fine low dimensional modulated fringes

应用透射式电子显微镜观察了GaAs-Al_xGa_(1-x)As多层异质结结构中的“精细低维调制条纹”。在邻近GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格层的缓冲层中和与这缓冲层邻近的GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格层的小区域中发现了等宽度的“精细低维调制条纹”,其宽度为9.1(?)的GaAs条纹,12(?)的Al_xGa_(1-x)As条纹。文中介绍了用显微密度计获得的这些条纹的密度分布结果。同时还给出了GaAs-Al_xGa_(1-x)As 多层异质结结构的晶格像和用X射线能量散射谱技术获