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利用能量过滤磁控溅射技术，于低温条件下，在玻璃衬底上制备ITO薄膜，研究了过滤电极金属网栅目数、溅射功率、衬底温度对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明：在网栅目数为60目、衬底温度为81℃、溅射功率为165W的条件下，所得ITO薄膜的电阻率为4．9×10^-4 Ω·cm，可见光区平均透过率达到87％。