【摘 要】
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报道了国内首次实现出光功率达到毫瓦量级的单横模1550?nm波段垂直腔面发射半导体激光器(vertical-cavity?surface-emitting?laser,?VCSEL).?设计了基于InAlGaAs四元量子阱的应变发光区结构;?设计并制备了具有隧穿特性的台面结构,?实现了对载流子空穴的高效注入及横向模式调控;?采用半导体分布式布拉格反射镜与介质反射镜结合的方式制备了1550?nm?VCSEL的反射镜结构.?VCSEL中心波长位于1547.6?nm,?工作温度为15?℃时最高出光功率可达到2.
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 发光学及应用国家重点实验室, 长春 130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 发光学及应用国家重点实验室, 长春 130033;长春中科长光时空
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报道了国内首次实现出光功率达到毫瓦量级的单横模1550?nm波段垂直腔面发射半导体激光器(vertical-cavity?surface-emitting?laser,?VCSEL).?设计了基于InAlGaAs四元量子阱的应变发光区结构;?设计并制备了具有隧穿特性的台面结构,?实现了对载流子空穴的高效注入及横向模式调控;?采用半导体分布式布拉格反射镜与介质反射镜结合的方式制备了1550?nm?VCSEL的反射镜结构.?VCSEL中心波长位于1547.6?nm,?工作温度为15?℃时最高出光功率可达到2.6?mW,?最高单模出光功率达到0.97?mW,?最大边模抑制比达到35?dB.随着工作温度增加,?激光器最高出光功率由于发光区增益衰减而降低,?然而35?℃下最大出光功率仍然可以达到1.3?mW.?激光器中心波长随工作电流漂移系数为0.13?nm/mA,?并且激光波长在单模工作区呈现出非常一致的漂移速度,?在气体探测领域具有很好的应用潜力.?本研究为下一步通过高密度集成获得高功率1550?nm VCSEL列阵奠定了基础.
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