【摘 要】
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本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法测量新施主的分布提供了确定氧的微小沉淀的
【机 构】
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应用物理系,应用物理系,应用物理系,应用物理系,
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本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法测量新施主的分布提供了确定氧的微小沉淀的一个灵敏的方法,其灵敏度取决于原始电阻率,新施主的分布可以通过讨论氧沉淀的分布,氧沉淀动力学过程以及晶体生长的液流模型得到解释。
In this paper, the extended resistance was used to study the microscopic distribution of new donors in P-CZ silicon after low-temperature annealing and low-temperature two-step annealing. It is pointed out that measuring the distribution of new donors by extended resistance method provides a sensitive method to determine the micro-precipitation of oxygen under the new donor’s oxygen precipitation interface model. The sensitivity depends on the original resistivity. The distribution of new donors can be discussed by discussing the oxygen deposition The distribution of oxygen evolution kinetics as well as the flow model of crystal growth are explained.
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