【摘 要】
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引言自真空管发明以来,三端放大器件只有两种重大改进——50年代中期,发明的锗和硅双极晶体管,使频率获得数量级增长;70年代中期发明的砷化镓场致发射三极管(FET),使频率扩
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引言自真空管发明以来,三端放大器件只有两种重大改进——50年代中期,发明的锗和硅双极晶体管,使频率获得数量级增长;70年代中期发明的砷化镓场致发射三极管(FET),使频率扩展到500Hz,并进入了砷化镓平板单片微波电路和毫米波电路的新时代。新的材料系统及更短的脉冲推动FET技术向前发展,对于功率和效率来说。目前最佳的固态三端器件是假晶高迁移率晶体管
INTRODUCTION There have been only two major improvements in three-terminal amplifier devices since the invention of the vacuum tube-the invention of germanium and silicon bipolar transistors in the mid-1950s resulting in an order of magnitude increase in frequency; the gallium arsenide field-effect transistor (FET) invented in the mid-1970s ), The frequency is extended to 500Hz, and entered a new era of gallium arsenide flat-panel single-chip microwave circuits and millimeter-wave circuits. New material systems and shorter pulse-push FET technologies are moving forward for power and efficiency. The best solid-state three-terminal devices today are pseudomorphic high mobility transistors
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