沉积温度对高温超导带材YBiO3缓冲层外延生长的影响

• 作 者: 岳美琼 魏贤华 滕元成 黄俊俊
• 机 构: 西南科技大学
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2009年5期
• 关键词: 沉积温度 YBiO3缓冲层 脉冲激光沉积外延生长 Deposition temperature YBiO3 buffer layer Pulsed lase

采用脉冲激光沉积（PLD）方法，在LaAlO3（001）基片上研究了沉积温度对用作高温超导带材缓冲层YBiO3结晶的影响。结果表明，随着沉积温度的升高，YBiO3缓冲层结晶质量提高，取向趋于完美，表面较为平整。当沉积温度为700℃时，单晶外延的Y8i03与LaAlO3基片的外延关系为：YBiO3（001）／／LaAlO3（001）和YBiO3[110]／／LaAlO3[100]，其晶格失配度为1．3％，平均粗糙度约为3．4nm。