一种5．7GHz CMOS全集成低噪声放大器的设计

• 作 者: 邓桂萍 王春华
• 机 构: 湖南大学计算机与通信学院
• 出 处: 微电子学
• 发表日期: 2007年2期
• 关键词: 低噪声放大器 CMOS 输入匹配 输出匹配 噪声系数 Low noise arnplifier CMOS Input matching Output ma

提出并设计了一种可以完全单片集成的5．7GHz低噪声放大器（LNA）。该电路结构利用MOSFET自身的栅寄生电阻，通过简单的LC网络变换实现输入匹配；并采用跨阻结构，实现输出匹配。该电路采用TSMC0．35μmCMOS工艺，用ADS模拟软件进行分析与优化。结果表明，设计的低噪声放大器，其增益为11．34dB，噪声系数为2．2dB，功耗12mw，输入反射系数-33dB，线性度-4dBm。