Room-temperature magnetoresistance in a-C：Co/Si system

• 作 者: ZHANG Xin
• 机 构: KeyLaboratoryofAdvancedMaterials,BeijingNationalCenterofElectronMicroscopy
• 出 处: 中国科学：物理学、力学、天文学英文版
• 发表日期: 2011年7期
• 关键词: 合作交流 室温 系统 脉冲激光沉积 样品制备 电压依赖性 连续分布 磁场调制 magnetoresistance carbon film pulsed la
• 基金项目: support given by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. U0734001 and 50772054),,the Ministry of Science and Technology of China (Grant Nos. 2008CB617601 and 2009CB929202)

交流的三种类型: Co/Si 样品用搏动的激光免职被制作：有公司的 Co2-C98/Si 在交流电影分散了，有公司的 Co2-C98/Si 在接口分离了，并且有公司的 a-C/Co/Si 连续地在 a-C/Si 接口散布了。Co2-C98/Si 样品的两种类型在 300 K 有积极 bias-voltage-dependent 磁致电阻(先生) ，并且所有太太浸透了行为。 electrotransport 性质上的学习显示 MR 出现在散开水流区域，并且先生的机制被建议是应用磁场和 superparama