Study of the dose rate effect of 180 nm nMOSFETs

来源 :中国物理C：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xieke594112

【摘要】

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Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a function of dose rate. A "true" dose rate e

【作者】

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何宝平姚志斌盛江坤王祖军黄绍燕刘敏波肖志刚

【机构】

：

TheStateKeyLaboratoryofIntensePulsedRadiationSimulationandEffect

【出处】

：

中国物理C：英文版

【发表日期】

：

2015年1期

【关键词】

：

NMOSFET 剂量率效应纳米辐射诱导沟槽隔离低剂量率仿真结果辐照实验 dose rate effect MOSFET ELDRS total

【基金项目】

：

Supported by National Science Foundation of China （11305126）

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Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a function of dose rate. A "true" dose rate effect(TDRE) is observed. Increased damage is observed at low dose rate(LDR) than at hi

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