消除CMOSIC闭锁的外延加双保护环技术

• 作 者: 张正璠
• 机 构: 四川固体电路研究所
• 出 处: 微电子学
• 发表日期: 1990年4期
• 关键词: CMOS IC 闭锁 外延层 保护环 CMOS IC latch-up Epi-Iayer Guard ring

本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n~-/n~+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得出,外延加双保护环结构,对中小规模电路而言,是一种消除CMOS电路闭锁的有效方法。