【摘 要】
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研制了一种新型的非选择性再生长掩埋异质结构长波长超辐射二极管(SLD).该器件采用渐变组分体材料InGaAs作为有源区,由金属有机物化学气相外延制备.150mA下,SLD发射谱宽的半
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子研发中心,中国科学院半导体研究所光电子研发中心,中国科学院半导体研究所光电子研发中心,中国科学院半导体研究所光电子研发中心,中国科学院半导体研究所光电子研发中心 北京100
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研制了一种新型的非选择性再生长掩埋异质结构长波长超辐射二极管(SLD).该器件采用渐变组分体材料InGaAs作为有源区,由金属有机物化学气相外延制备.150mA下,SLD发射谱宽的半高全宽为72nm,覆盖范围从1602到1674nm.发射谱光滑、平坦,光谱波纹在1550到1700nm的范围内小于0.3dB.室温连续工作,注入电流200mA下,器件获得了4.3mW的出光功率.器件适用于气体探测器和Lband光纤通信的光源.
A new non-selective long-wavelength buried heterostructure long wavelength superluminescent diode (SLD) was developed, which was fabricated by metal-organic chemical vapor deposition (InGaAs) The emission spectrum has a FWHM of 72 nm and a coverage range of 1602 to 1674 nm. The emission spectrum is smooth and flat with a spectral ripple of less than 0.3 dB over a range of 1550 to 1700 nm. Continuous operation at room temperature with an injection current of 200 mA resulted in a 4.3 mW Output power. The device is suitable for gas detectors and Lband fiber optic communications light source.
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