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利用射频(RF)共溅射的方法在n-Si(111)衬底上，以SiO2为主靶，上面放置不同数量的Si片和石墨片，沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜，随后在不同温度下进行退火处理，并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得到不同强度的发光峰，主要来自于Si、C注入后引起的基质成键变化而带来的氧空位缺陷和Si晶粒，对于C含量较高的样品在580nm处观察到黄光发射则与C团簇有关。利用FTIR和XRD表征了复合膜的结构，UV-VIS分光光度计表征了复合膜的透射吸收特征。