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本文研究了用无质量分析的离子注入机进行95keV(N2~+,N~+)注入、高温退火和薄层外延获得的SOI(Silicon on Insulator)材料的结构与电学性质。结果表明,离子注入剂量是影响Si_3N_4埋层形成和上层硅质量的关键。
95KeV（N＋2 N＋）注入Si制备SOI材料的研究
【摘 要】
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本文研究了用无质量分析的离子注入机进行95keV(N2~+,N~+)注入、高温退火和薄层外延获得的SOI(Silicon on Insulator)材料的结构与电学性质。结果表明,离子注入剂量是影响Si_
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所上海200050,上海200050常州半导体厂,上海200050,上海200050
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1992年8期
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