化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列

• 作 者: 彭跃华 周海青 刘湘衡 何熊武 赵丁 海阔 周伟昌 袁华军
• 机 构: 湖南师范大学低维量子结构与调控教育部重点实验室
• 出 处: 物理化学学报
• 发表日期: 2011年5期
• 关键词: 一维纳米结构 阵列 化学气相沉积法 三硫化二锡 气-固生长机理 One-dimensional nanostructure Array Chemical v
• 基金项目: 教育部新世纪优秀人才支持计划（NCET-07-0278）, 湖南省杰出青年基金（08JJ1001）, 湖南省自然科学基金（07JJ6009）, 湖南师范大学青年优秀人才培养计划（070623）资助.

运用化学气相沉积法（CVD）,直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜（SEM）图片显示：Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.X射线衍射（XRD）谱显示：所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0eV的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响,并指出其