低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备

来源 :第三届全国溶胶-凝胶科学技术学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lu_bo_123
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以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法、旋转涂胶和超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO<,2>薄膜.用近线性生长模型和分形生长模型研究了SiO<,2>溶胶的粘度-时间曲线,确定了SiO<,2>溶胶的结构演变过程.适合旋转涂胶的SiO<,2>溶胶的粘度为9mPa·s~15mPa·s;旋转涂胶时SiO<,2>溶胶的粒子尺寸与其浓度密切相关.该SiO<,2>薄膜具有三维网络结构,表面均匀平整,SiO<,2>微粒直径为10nm~20nm.SiO<,2>薄膜的厚度为400nm~1000nm;折射率为1.09~1.24;介电常数为1.5~2.5.
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