控制结晶法合成表面富含钴的尖晶石LiMn2—xCoxO4

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为了解决尖晶石LiMn2O4在高温下的容量衰减问题,制备出了表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4.采用控制结晶工艺在Mn3O4颗粒表面包覆一层β-Co(OH)2,以包覆Co(OH)2的Mn3O4为前驱体,与LiOH*H2O混合,在750 ℃下反应20 h,合成表面富含钴的LiMn2-xCoxO4.X射线衍射分析表明,合成的LiMn2-xCoxO4为尖晶石结构,没有杂相.扫描电镜和能量散射光谱(EDS)的分析结果表明,该尖晶石LiMn2-xCoxO4为类球形,而且表面富含钴.这种表面富含钴的尖晶石Li
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