【摘 要】
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针对单级功率因数校正和恒流控制的LED驱动芯片,提出了一种控制其内部功率MOS管开关频率和占空比的电路,可以实现PWM模式和混合调制模式的切换,省去了误差放大器。基于0.5μm
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,
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针对单级功率因数校正和恒流控制的LED驱动芯片,提出了一种控制其内部功率MOS管开关频率和占空比的电路,可以实现PWM模式和混合调制模式的切换,省去了误差放大器。基于0.5μm BCD工艺,在25℃,TT工艺角下,对电路进行仿真。结果表明,该控制电路可以实现电路高的功率因数(PF>0.9)和精确恒流输出(误差<5%),具有较高的可靠性和工程实用性。
Aiming at the single-stage power factor correction and constant current control LED driver chip, a circuit for controlling the switching frequency and duty cycle of the internal power MOS transistor is proposed, which can switch the PWM mode and the mixed modulation mode without the error amplifier . Based on the 0.5μm BCD process, the circuit is simulated at 25 ° C and TT process angle. The results show that the control circuit can achieve high power factor (PF> 0.9) and precise constant current output (error <5%) with high reliability and engineering practicability.
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