【摘 要】
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采用无压烧结工艺制备了SiC—AlN复相陶瓷材料,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜和激光导热仪对材料的晶相、微结构和导热性能进行了综合研究.实验发现,烧结体的密度和AlN的添加
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京210009
【出 处】
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全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接第十四届会议暨真空电子与专用金属材料分会2014年年会
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采用无压烧结工艺制备了SiC—AlN复相陶瓷材料,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜和激光导热仪对材料的晶相、微结构和导热性能进行了综合研究.实验发现,烧结体的密度和AlN的添加量有关.在AIN添加量低于l0％(质量比)时,烧结体的相对密度随着A1N含量的升高而升高.在添加量高于10％时,AlN的添加对于烧结不利.复相陶瓷的热导率随着AlN含量的增加而下降.这和材料内部固溶体的形成有关.XRD测试发现,随着AlN含量的升高,2H固溶相增加.这直接影响到材料的烧结性能和热导率.
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