氢氧注入在GaAs器件中的应用

• 作 者: 韩卫 罗晏
• 机 构: 北京师范大学低能核物理研究所
• 出 处: 北京师范大学学报：自然科学版
• 发表日期: 1995年4期
• 关键词: 氢 氧 离子注入 砷化镓器件 hydrogen oxygen ion implantation GaAs device
• 基金项目: 国家“八六三”高科技资助

从３个器件说明氢，氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入了Ｐ＾＋－Ｎ＾－－Ｎ＾＋层的Ｎ＾－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益，其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。