GaN基垂直腔面发射激光器的研究进展

• 作 者: 应磊莹 梅洋 张保平
• 机 构: 厦门大学电子科学与技术学院
• 出 处: 厦门大学学报:自然科学版
• 发表日期: 2021年3期
• 关键词: GAN 垂直腔面发射激光器 绿光 GaN vertical cavity surface emitting laser green light
• 基金项目: 国家重点研发计划(2016YFB0400803,2017YFE0131500),国家自然科学基金(61704140),科学挑战计划(TZ2016003)

GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种具有垂直出光结构的新型半导体激光器,其发光波长可覆盖整个可见光波段.与边发射激光器相比,VCSEL具有单纵模工作、低阈值电流、圆形对称光斑、与光纤耦合效率高以及可以制备高密度二维阵列等优点,因此被认为是下一代半导体照明、微投影、全色显示、可见光通信等应用领域的理想光源.GaN基VCSEL发展至今已经取得长足的进展,距离实现产业化应用也越来越近.本文对照目前已经发展成熟的GaAs基VCSEL的发展状况,综述了GaN基VCSEL的应用领域、发展现状、技术路线,并着