【摘 要】
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研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时
【机 构】
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西宁解放军536医院,西宁解放军536医院810007,810007,810007
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研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度。计算结果表明电子隧穿几率英线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低，并且随穿电流密度曲线中出现附加的隧穿台阶，隧穿峰变低和展宽，这主要是由于外加交变电场与Ｅ±ｎω的电子态耦合，为电子
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