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CVD金刚石膜因其极高的强度和耐磨特性在微机电系统（MEMS）领域具有极好的应用前景，然而其极高的硬度和化学惰性又使其很难被加工成型，这极大地限制了CVD金刚石膜在MEMS领域的应用。本文主要介绍了近年来干法刻蚀图形化CVD金刚石膜的研究进展，系统地分析了激光刻蚀，等离子体刻蚀，等离子体辅助固体刻蚀的原理及其各自优缺点，着重论述了国内外采用等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究现状。