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研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线，再以5％（体积分数）HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物，采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒，此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理。应用高分辨透射电镜（HRTEM）等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程，HRTEM结果表明，在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜；退火温度低于300℃时，表面溅射的Ni结晶效果较差；退火温度在