【摘 要】
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本文基于 UMC 0.18,μm CMOS 工艺,设计了-款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅（RGC）结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为 RGC 结构
【出 处】
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天津大学学报(自然科学与工程技术版)
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本文基于 UMC 0.18,μm CMOS 工艺,设计了-款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅（RGC）结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为 RGC 结构的辅助放大器,用于提升电路的等效跨导和带宽.此外,通过优化电路参数以及在输入端引入阶梯型无源匹配网络来进一步拓展带宽和降低电路噪声.测试结果表明,在探测器等效电容为 300,pF 时,所设计跨阻放大器芯片的-3,dB 带宽为 2.2,GHz,跨阻增益为 61.8,dB？,平均等效输入噪声电流谱密度仅为9pA/Hz ,
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